טרנזיסטור MOSFET

עבודה מס' 063950

מחיר: 300.95 ₪ הוסף לסל

תאור העבודה: הסבר על רכיב ה-MOSFET

3,240 מילים ,4 מקורות ,2005

תקציר העבודה:

תוכן עניינים:
מבוא
מבנה ה-MOSFET
עיקרון פעולה
תהליכים פזיקליים
קבל MOS
פסי האנרגייה (הקדמה)
פונקציי העבודה בהתקן MOS
פוטנציאל פרמי
הדינמיקה של פסי האנרגיה במצבי הטרנזיסטור
מטען הכלוא בתחמוצת
שכבת מחסור במצע
מתח הסף
השתלת מטען בתעלה
אפקט המצע
חישוב הזרם בטרנזיסטור MOS-FET
תחומי פעולה
אופייני מתח-זרם של MOSFET מסוג חיזוק הולכה
הטרנזיסטור כמתג
סיכום
ביבליוגרפיה

הערת מערכת: העבודה אינה כוללת מראי מקום.

קטע מהעבודה:

מצע ה - Mosfet הוא בד"כ סיליקון מסומם סוג P או לחלופין מסוג N, כאשר סוג P מניב התקן מסוג n-channel המיוצר ע"י פעפוע זרחן, בעוד שסימום מסוג N מניב התקן מסוג p-channel.
שער ה - Mosfet הינו אזור מוליך המבודד מהמצע ומאחר שהוא חייב להוות משטח שווה פוטנציאל, לכן הוא מיוצר מחומר בעל מוליכות גבוהה.
בטכנולוגיות ישנות יותר נעשה שימוש במתכת אלומיניום עבור השער, בעוד שבטכנולוגיות חדשות משתמשים כיום בפולי-סיליקון שזהו חומר בעל מבנה גרגירי - גבישי.
תחמוצת השער משמשת מבודד באיכות גבוהה בין השער והמצע. למרות שהתחמוצת מונעת זרימת זרם מהשער אל המצע, היא מאפשרת הזנה של שדה חשמלי מהשער אל המצע. תחמוצת השער בנויה בד"כ מתחמוצת סיליקון. עובי תחמוצת הסיליקון הוא בערך 0.02 מיקרון.

מקורות:

התקני מוליכים למחצה ומיקרו אלקטרוניקה מאת אדיר בר לב וגדי גולן
Lectures of Mosfets basics by Prof. D. Mason
Mos transistors basic operation and modeling by Tian Tong.
De Massa T. A., Z. J. Ciccone, "Digital Integrated Circuits", John Wiley Sons, 1996

אפשרויות משלוח:

ניתן לקבל ולהזמין עבודה זו באופן מיידי במאגר העבודות של יובנק. כל עבודה אקדמית בנושא "טרנזיסטור MOSFET", סמינריון אודות "טרנזיסטור MOSFET" או עבודת מחקר בנושא ניתנת להזמנה ולהורדה אוטומטית לאחר ביצוע התשלום.

אפשרויות תשלום:

ניתן לשלם עבור כל העבודות האקדמיות, סמינריונים, ועבודות המחקר בעזרת כרטיסי ויזה ומאסטרקרד 24 שעות ביממה.

אודות האתר:

יובנק הנו מאגר עבודות אקדמיות לסטודנטים, מאמרים, מחקרים, תזות ,סמינריונים ועבודות גמר הגדול בישראל. כל התקצירים באתר ניתנים לצפיה ללא תשלום. ברשותנו מעל ל-7000 עבודות מוכנות במגוון נושאים.